| 單晶硅片 |
| 發(fā)布時(shí)間：7/9/2010 5:23:44 PM 瀏覽：7367 |
硅片主要由高純多晶硅經(jīng)特殊工藝高溫熔煉成一定形狀的硅方塊或硅圓棒，再經(jīng)多線切割而成薄片狀，以滿足后續(xù)加工的需要。硅片是目前光伏行業(yè)最重要的基體材料。
宜昌南玻依托自身的硅材料基地，能夠最大限度的發(fā)揮硅材料資源的整合優(yōu)勢(shì)，保障原材料品質(zhì)和供應(yīng)穩(wěn)定。隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，處于光伏產(chǎn)業(yè)上游的硅片生產(chǎn)環(huán)節(jié)顯得越來(lái)越重要。為了降低成本，增大單位原料的產(chǎn)出，我們生產(chǎn)的高密度、高性能、輕薄高效的硅片成為了硅片市場(chǎng)的“新寵”。
配圖：硅片廠房、硅片、硅片工藝流程等。
| 單晶硅片技術(shù)規(guī)格要求 |
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A級(jí) |
B級(jí) |
說(shuō)明 |
| 項(xiàng)目 |
| 物理性能 |
晶向 |
(100) ± 3° |
(100) ± 3° |
|
| 氧含量（atom/cm3） |
≤1.0E+18 |
≤1.0E+18 |
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| 碳含量（atom/cm3） |
≤5.0E+16 |
≤5.0E+16 |
|
| 少子壽命（μs） |
τ≥10μs（鈍化后） |
τ≥10μs（鈍化后） |
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| 導(dǎo)電類型 |
P |
P |
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| 電阻率(Ω．Cm) |
1-3；3-6 |
0.8-3；3-6 |
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| 幾何參數(shù) |
邊長(zhǎng)（mm） |
125×125±0.5 |
125×125±0.5 |
|
| 對(duì)角線（mm） |
165±0.5 |
165±0.5 |
|
| 厚度（μm） |
200±20 |
200±30 |
|
| TTV（μm） |
＜30 |
≤50 |
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| 翹曲度(μm) |
＜50 |
＜70 |
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| 同心度 |
任意兩弧的弦長(zhǎng)之差≤0.5mm |
任意兩弧的弦長(zhǎng)之差≤1mm |
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| 垂直度 |
90±0.3° |
90±0.5° |
|
| 外觀質(zhì)量 |
崩邊 |
長(zhǎng)≤0.5 mm，
深≤0.3 mm |
長(zhǎng)≤1 mm，
深≤0.5 mm |
硅片邊緣破損，無(wú)論是否有穿透現(xiàn)象都視為崩邊 |
| 數(shù)量≤2個(gè) |
|
| 無(wú)V型口 |
無(wú)V型口 |
| 硅落 |
長(zhǎng)≤50mm，寬度≤100μm，深度不能延伸到硅片表面 |
長(zhǎng)寬不限，深度不能延伸到硅片表面 |
硅片邊緣有硅粉掉落、亮邊現(xiàn)象 |
| 線痕 |
中部≤17 μm，邊緣2mm內(nèi)≤20 μm |
≤30 μm |
|
| 無(wú)密集線痕 |
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密集線痕（每1cm上線痕的條數(shù)超過(guò)5條） |
| 色差 |
無(wú) |
有明顯色差 |
|
| 污片 |
無(wú) |
無(wú)明顯沾污,表面臟污≤10% |
|
| 位錯(cuò)（pcs/㎝2） |
≤3000 |
≤3000 |
|
| 應(yīng)力片 |
無(wú) |
無(wú) |
|
| 凹坑、缺口、裂紋、氣孔、臺(tái)階 |
無(wú) |
無(wú) |
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| 多晶硅片技術(shù)規(guī)格要求 |
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|
|
|
|
|
A級(jí) |
B級(jí) |
說(shuō)明 |
| 項(xiàng)目 |
| 物理性能 |
氧含量（atom/cm3） |
≤1.0E+18 |
≤1.0E+18 |
|
| 碳含量（atom/cm3） |
≤5.0E+17 |
≤5.0E+17 |
|
| 少子壽命（μs） |
τ≥2μs |
τ≥2μs |
|
| 導(dǎo)電類型 |
P |
P |
|
| 電阻率(Ω．Cm) |
1-3 |
0.8-3 |
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| 幾何參數(shù) |
邊長(zhǎng)（mm） |
156×156±0.5 |
156×156±0.5 |
|
| 厚度（μm） |
200±20 |
200±30 |
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| TTV（μm） |
＜30 |
≤50 |
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| 彎曲度(μm) |
＜50 |
＜70 |
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| 對(duì)角線（mm） |
219.2±1.2 |
219.2±1.2 |
|
| 倒角（mm） |
1~2 |
0.8~2 |
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| 垂直度 |
90±0.3° |
90±0.5° |
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| 外觀質(zhì)量 |
崩邊 |
長(zhǎng)≤0.5 mm，
深≤0.3 mm |
長(zhǎng)＞1 mm，
深≤0.5 mm |
硅片邊緣破損，無(wú)論是否有穿透現(xiàn)象都視為崩邊 |
| 數(shù)量≤2個(gè) |
|
| 無(wú)V型口 |
無(wú)V型口 |
| 硅落 |
長(zhǎng)≤50mm，寬度≤100μm，深度不能延伸到硅片表面 |
長(zhǎng)寬不限，深度不能延伸到硅片表面 |
硅片邊緣有硅粉掉落、亮邊現(xiàn)象 |
| 線痕 |
中部≤17 μm，邊緣2mm內(nèi)≤20 μm |
≤30 μm |
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| 無(wú)密集線痕 |
|
密集線痕（每1cm上線痕的條數(shù)超過(guò)5條） |
| 色差 |
無(wú) |
有明顯色差 |
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| 污片 |
無(wú) |
無(wú)明顯沾污,表面臟污≤10% |
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| 微晶（pcs/㎝2） |
無(wú) |
≤10 |
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| 應(yīng)力片 |
無(wú) |
無(wú) |
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| 凹坑、缺口、裂紋、氣孔、臺(tái)階 |
無(wú) |
無(wú) |
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