宜昌南玻采用改良西門子法，增加還原尾氣干法回收系統(tǒng)、四氯化硅氫化工藝，實現(xiàn)了全閉路循環(huán)。該方法降低了單位產(chǎn)品的能耗，采用四氯化硅氫化和尾氣干法回收工藝，降低了原輔材料的消耗，保護了資源。
多晶硅的需求主要來自于半導(dǎo)體和太陽能電池，用于生產(chǎn)集成電路、分立器件和太陽能電池片。隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展。太陽能作為可再生能源中重要的一種既豐富又無污染的新能源，是各國重點支持和發(fā)展領(lǐng)域。
| 硅多晶電學(xué)參數(shù) |
| 項目 |
硅多晶純度等級 |
| 1級品 |
2級品 |
3級品 |
| 基磷電阻率/(Ω·cm) |
≥500 |
≥300 |
≥200 |
| 基硼電阻率/(Ω·cm) |
≥3 000 |
≥2 000 |
≥1 000 |
| 碳濃度/(at/cm3) |
＜1.5*1016 |
＜2*1016 |
＜2*1016 |
| n型少數(shù)載流子壽命/µs |
≥500 |
≥300 |
≥100 |
| 注：表中基磷電阻率、基硼電阻率可根據(jù)GB/T13389《摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程》換算為基磷、基硼含量。以上各數(shù)據(jù)檢測方法也可參照ASTM F1723進行。 |
|
